服务热线:40009 63336

©2019 青岛三因子气体科技有限公司  版权所有

网站地图  |  鲁ICP备17045620号   网站建设:中企动力青岛

友情链接:

在线咨询

工作时间:每日08:00—23:00
欢迎您添加QQ客服咨询
QQ:1968322180

40009 63336

欢迎您拨打全国咨询热线
工作时间:每日08:00—20:00
投诉电话:0532-80969903

微信公众平台

阿里巴巴

在线商城

>
>
>
特种气体中前60种高纯特种气体用途详细介绍(一)!

特种气体中前60种高纯特种气体用途详细介绍(一)!

分类:
气体知识
发布时间:
2019/10/29 11:41

特种气体是由两大类气体组成的。一类为单元高纯气体,另一类为混合气体。到目前为止,特种气体中单元纯气体共有260种。特种气体门类繁多,通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等,广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域。

其中:

电子气体共114种,占总数的43.8%(实际常用的约44种);

有机气体共65种,占总数的25%;

无机气体共35种,占总数的13.4%;

卤碳素气体共29种,占总数的11%;

同位素气体共17种,占总数的6.8%。

本文先介绍前60种高纯特种气体的用途。

特种气体

特种气体

1.氮气-N2,纯度要求>99.999%,用作标准气、在线仪表标准气、校正气、零点气、平衡气;用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入、等离子干刻、光刻、退火、搭接、烧结等工序;电器、食品包装、化学等工业也要用氮气。

2.氧气-O2,>99.995%,用作标准气在线仪表标准气、校正气、零点气;还可用于医疗气;在半导体器件制备工艺中用于热氧化、扩散、化学气相淀积、等离子干刻等工序;以及用于光导纤维的制备。

3.氩气-Ar,>99.999,用作标准气、零点气、平衡气;用于半导体器件制备工艺中晶体生长、热氧化、外延、扩散、氮化、喷射、等离子干刻、载流、退火、搭接、烧结等工序;特种混合气与工业混合气也使用氢。

4.氢气-H2,>99.999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、在线仪表标准气;在半导体器件制备工艺中用于晶休生长、热氧化、外延、扩散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等工序;在化学、冶金等工业中也有用。

5.氦气-He,>99.999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、医疗气;于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、载流等工序;另外,特种混合气与工业混合气也常用。

6.氯气-Cl2,>99.96%,用作标准气、校正气;用于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、热氧化等工序;另外,用于水净化、纸浆与纺织品的漂白、下业废品、污水、游泳池的卫生处理;制备许多化学产品。

7.氟气-F2,>98%,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻;另外,用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼和金属氟化物等。

8.氨气-NH3,>99.995%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中氮化工序;另外,用于制冷、化肥、石油、采矿、橡胶等工业。

9.氯化氢-HCI,>99.995%,用作标准气;用于半导体器件制备工艺中外延、热氧化、扩散等工序;另外,用于橡胶氯氢化反应中的化学中间体、生产乙烯基和烷基氯化物时起氧氯化作用。

10.一氧化氮-NO,>99%,用作标准气、校正气;用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积主序;制备监控大气污染的标准混合气。

11.二氧化碳-CO2,>99.99%,用作标准气、在线仪表标推气、校正气;于半导体器件制备工艺中氧化、载流工序警另外,还用于特种混合气、发电、气体置换处理、杀菌气体稀释剂、灭火剂、食品冷冻、金属冷处理、饮料充气、烟雾喷射剂、食品贮存保护气等。

12.氧化亚氮-N2O,(即笑气),>99.999%,用作标准气、医疗气;用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积、医月麻醉剂、烟雾喷射剂、真空和带压检漏;红外光谱分析仪等也用

13.硫化氢-H2S,>99.999%,用作标准气、校正气;用于半导体器件制备工艺中等离子干刻,化学工业中用于制备硫化物,如硫化钠,硫化有机物;用作溶剂;实验室定量分析用。

14.四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作标准气;用于半导体器件制备工艺中外延丫、化学气相淀积等工序;另外,用作溶剂、有机物的氯化剂、香料的浸出剂、纤维的脱脂剂、灭火剂、分析试剂、制备氯仿和药物等。

15.氰化氢-HCN,>99.9,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;制备氢氰酸溶液,金属氰化物、氰氯化物;也用于制备丙烯睛和丙烯衍生物的合成中间体。

16.碳酰氟-COF2,>99.99%,用于半寻体器件制备工艺中等离子干刻工序;另外,用作氟化剂。

17.碳酰硫-COS,>99.99%,用作校正气;用于半导体器件制备工艺中离子注入工序;也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸盐和噻唑的合成。

18.碘化氢-HI,>99.95%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序;还用于氢碘酸溶液制备。

19.嗅化氢-HBr,>99.9%,用于半导体制备工艺中等离子干刻工序;用作还原剂,制备有机及无机澳化合物。

20.硅烷-SiH4,>99.999%,电阻率>100Ω/cm2,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积等工序。

21.乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半导体制备工艺中化学气相淀积。

22.磷烷-PH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序;磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体,可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物。

23.砷烷-AsH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序。

24.硼烷-B2H6,>99.995%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、氧化等工序;用于有些化学工业合成过程:如氢硼化反应(即生成醇类),有机功能的衰退,制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。

25.锗烷-GeH4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。

26.锑烷-SbH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。

27.四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。

28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;还用于冶金工业的热处理,化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等。

29.丙烷-C3H8,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序;另外,用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的原料。

30.硒化氢-H2Se,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

31.碲化氢-H2Te,>99,999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序.

32二氯二氢硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

33.三氯氢硅-SiHCl3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。

36.二甲基锌(CH5)2Zn,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。

37.二乙基锌(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。

38.三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中扩散,锗的外延生长和离子注入工艺;PCl3是有机物的良好氯化剂;也用于含磷有机物的合成。

39.三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入。

40.三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等离子干刻、扩散;作硼载气及一些有机反应的催化剂;精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳、氧化合物。

41.四氯化硅-SiCl4>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

42.四氯化锡-SnCl4,>99.99%,用于外延、离子注入。

43.四氯化锗-GeCl4,>99.999%,用于离子注入。

44.四氯化钦-TiCl4,>99.99%,用于等离子干刻。

45.五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

46.五氯化锑-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

47.六氯化钥-MoCl6,>99.9%,用于化学气相淀积。

48.三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。

49.三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、离子注入。

50.磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于扩散工序。

51.三氟化硼-BF3,>99.99%,用于离子注入;另外,可作载气、某些有机反应的催化剂;精炼镁、锌、铝、铜合金时从熔化金属中除掉氮、氧化碳化物。

52.三氟化磷-PF3,>99%,用于外延、离子注入工序;另外用作氟化剂。

53.三氟化砷-AsF3,>99.9%,用途同(52)。

54.二氟化氨-XeF2,>99.9%,用于外延、离子注入工序;用于固定模具氨的考察及原子反应堆排放废气中氮的测定。

55.三氟氯甲烷-CClF3,(R-13),>99.995%,用于等离子干刻工序;冷冻剂、空调均可用。

56.三氟甲烷-CHF3,(R-23),>99.999%,用于等离子干刻工序;低温冷冻剂。

57.三氟化氮-NF3>99.99%,用于等离子干刻工序;火箭推进剂、氟化剂。

58.三氟嗅甲烷-CBrF3,(R13B1),>99.99%,用于等离子干刻工序;还用于空调、低温冷冻及灭火剂。

59.三氟化硼-11-B11F3,>99.99%,用于离子注入工序(天然硼的同位素,含11B8l%,10B19%。出售的11B是浓缩含有96%同位素BF3);还用于制备光导纤维。

60.四氟化碳-CF4,(R-14),>99.99%,用于等离子干刻工序;在很低温度下作为低温流体用;也用于中性及惰性气体。

我们青岛三因子气体公司也提供工业气体、高纯气体、特种气体、标准气体、混合气、液态气体;销售租赁低温储罐、快易冷、杜瓦罐、气体钢瓶;承接管道安装、吹扫等工程。热线:40009 63336