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半导体气体中特殊气体的应用

半导体气体中特殊气体的应用

分类:
气体知识
发布时间:
2019/12/12 17:52
半导体气体也被称为电子气体、电子特气,是一种专门用于电子半导体行业的特殊气体。电子气体是发展集成电路、光电子、微电子,特别是超大规模集成电路、液晶显示器件、半导体发光器件和半导体材料制造过程中不可缺少的基础性支撑源材料,它被称为电子工业的“血液”和“粮食”,它的纯度和洁净度直接影响到光电子、微电子元器件的质量、集成度、特定技术指标和成品率,并从根本上制约着电路和器件的精确性和准确性
半导体
半导体
1、硅烷(SiH4):有毒,在半导体工业中主要用于通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等,还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
2、锗烷(GeH4):剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料,锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积,形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。
3、磷烷(PH3):剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂,磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延材料、离子注入工艺、化合物半导体的工艺、磷硅玻璃钝化膜制备等工艺中。
4、砷烷(AsH3):剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的掺杂剂。 
5、氢化锑(SbH3):剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。
电子特气
电子特气
6、乙硼烷(B2H6):窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂,它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。
7、三氟化硼(BF3):有毒,极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。
8、三氟化氮(NF3):毒性较强。主要用于化学气相淀积装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合,用作等离子体工艺的蚀刻气体。
9、三氟化磷(PF3):毒性极强。作为气态磷离子注入源。
半导体气体
半导体气体
10、四氟化硅(SiF4):遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅和硅化钽的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
11、五氟化磷(PF5):在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。
12、四氟化碳(CF4):作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体,是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。
13、六氟乙烷(C2H6):在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气。
14、全氟丙烷(C3F8):在等离子蚀刻工艺中,作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。
电子特气
电子气体系统
电子气体污染控制要求日趋严格,随着电子消费品的升级换代,产品制造尺寸越来越大,产品成品率和缺陷控制越来越严格,整个电子工业界对电子气体气源纯度,以及杜绝输送系统二次污染的要求越来越苛刻。电子气体多以集中式供应为趋势,特种气体集中放置在气体房。输送系统的数量是根据机台对流量的需求进行合理配置。